Indium(III) oksida

Indium(III) oksida

Nama
Nama lain indium trioksida
Penanda
Nomor CAS	1312-43-2^Y
Model 3D (JSmol)	Gambar interaktif
3DMet	{{{3DMet}}}
ChemSpider	133007^Y
Nomor EC
PubChem CID	150905
Nomor RTECS	{{{value}}}
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID40893857
InChI InChI=1S/2In.3O/q2*+3;3*-2^Y Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N^Y InChI=1/2In.3O/q2*+3;3*-2 Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL
SMILES [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3]
Sifat
Rumus kimia	In2O3
Massa molar	277.64 g/mol
Penampilan	kristal tidak berbau, hijau kekuningan
Densitas	7.179 g/cm^3
Titik lebur	1.910 °C (3.470 °F; 2.180 K)
Kelarutan dalam air	tidak dapat larut
Celah pita	~3 eV (300 K)
Suseptibilitas magnetik (χ)	−56.0·10^−6 cm^3/mol
Struktur
Struktur kristal	Kubik, kelompok ruang Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16[1]
Bahaya
Klasifikasi UE (DSD) (usang)	tidak terdaftar
Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada suhu dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa).
Y verifikasi (apa ini ^YN ?)
Referensi

Indium(III) oksida adalah senyawa kimia bersifat amfoter dengan rumus In₂O₃.

Senyawa ini tidak dapat larut dalam air, tetapi dapat larut di dalam asam, sementara kristalinnya tidak dapat larut dalam air dan asam. Terdapat dua bentuk kristal indium(III) oksida, yaitu kristal kubik dan rombohedral.[2][3]

Sintesis

Sampel indium(III) oksida dapat dibuat dengan memanaskan indium(III) hidroksida atau indium nitrat, karbonat atau sulfat.[4]

Reaksi

Jika dipanaskan hingga suhu 700 °C, Indium(III) oksida membentuk In₂O (disebut indium(I) oksida atau indium suboksida), sementara pada suhu 2000 °C senyawa ini akan berdekomposisi.[4] Senyawa ini dapat larut dalam asam, tetapi tidak dapat larut di dalam alkali.[4] Jika direaksikan dengan amonia pada suhu yang tinggi, akan terbentuk indium nitrida:[5]

In₂O₃ + 2 NH₃ → 2 InN + 3 H₂O

Referensi

1. Marezio, M. (1966). "Refinement of the crystal structure of In₂O₃ at two wavelengths". Acta Crystallographica. 20 (6): 723–728. doi:10.1107/S0365110X66001749. 
2. Walsh, A; et al. (2008). "Nature of the Band Gap of In₂O₃ Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy" (PDF). Physical Review Letters. 100 (16): 167402. doi:10.1103/PhysRevLett.100.167402. PMID 18518246. Diarsipkan dari versi asli (PDF) tanggal 2017-12-15. Diakses tanggal 2018-01-30. 
3. King, P. D. C.; Fuchs, F.; et al. (2009). "Band gap, electronic structure, and surface electron accumulation of cubic and rhombohedral In₂O₃". Physical Review B. 79 (20). doi:10.1103/PhysRevB.79.205211. 
4. Downs, Anthony John (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X. 
5. Wiberg, Egon and Holleman, Arnold Frederick (2001) Inorganic Chemistry, Elsevier ISBN 0123526515