|
Волтер Гаузер Браттейн
Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай — 13 жовтня 1987, Сіетл) — американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном). БіографіяВолтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла. У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла. У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті. Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.[6] Наукова діяльністьБраттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході. У 1952 році доктор Браттейн здобув ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті. У 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту». Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства[7]. Нагороди
Література
Примітки
Посилання
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Portal di Ensiklopedia Dunia
