Арсенід галію

Арсенід галію
Кристалічна ґратка
Зразок Арсеніду галію
Ідентифікатори
Номер CAS	1303-00-0
PubChem	14770
Номер EINECS	215-114-8
Назва MeSH	gallium+arsenide
RTECS	LW8800000
SMILES	[Ga-]$[As+]
InChI	InChI=1S/As.Ga
Властивості
Молекулярна формула	GaAs
Молярна маса	144.645 г/моль
Молекулярна маса	143.847177329 г/моль
Зовнішній вигляд	дуже темно-червоні, склоподібні кристали
Запах	часнику при зволоженні
Густина	5.3176 г/см^3
Тпл	1238
Розчинність (вода)	нерозчинний
Розчинність	розчинний в хлоридній кислоті, етанолі, метанолі, ацетоні
Показник заломлення (nD)	3.8[1]
Структура
Кристалічна структура	цинкова обманка
Просторова група	T^2d-F-43m
Період кристалічної ґратки
Координаційна геометрія	чотирьохгранний
Геометрія	лінійна
Небезпеки
MSDS	External MSDS
ГГС піктограми
ГГС формулювання небезпек	301, 331, 410
ГГС запобіжних заходів	261, 273, 301+310, 311, 501
Класифікація ЄС	T N
R-фрази	R23/25, R50/53
S-фрази	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
NFPA 704	1 3 2 W
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка.

Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям.

Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки A^IIIB^V (англ. III-V Compounds).

Кристалічна ґратка

Нанокристалічна поверхня

Арсенід галію має кубічну гранецентровану ґратку типу ґратки цинкової обманки.

Методи отримання

Арсенід галію отримують, сплавляючи чисті арсен (As) і галій (Ga) у кварцовій колбі при температурі близько 1240 °C при тиску пари близько 1000 ГПа. Кристали ростуть із зародків, що утворюються самовільно.

Для отримання монокристалів використовують також методи направленої кристалізації (горизонтальний метод Бріджмена), витягування з розплаву (метод Чохральського) і зонного плавлення.

Тип провідності й рухливість носіїв заряду в кристалах залежить від концентрації домішок, що залишаються при виготовлені. Найважливішими з них є кремній та мідь, які переходять в арсенід галію з кварцу (кремній) і тигелів чи ампул (мідь). Кремній є донором ^[джерело?], тому здебільшого отримані кристали мають n-тип провідності.

Джерела

• Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
• Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.(рос.)

Примітки

1. Refractive index of GaAs. Ioffe database