65纳米制程

半导体器件制造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量互補式金屬氧化物半導體半导体器件（多閘極電晶體）摩尔定律晶體管數量半导体半导体产业纳电子学
查论编

65纳米制程是半导体制造制程的一个技術水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、聯華電子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量產^[1]。

当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技术。此外，12英寸晶圓在此制程開始成为主流。

具有65纳米制程的产品

Intel 奔腾4/奔騰D 2006年1月
Intel 酷睿2(Conroe、Conroe XE、Merom、Kentsfield)
AMD Athlon 64系列（始于Lima） 2007年2月
nVIDIA GeForce 8 （部份系列）、GeForce 9（部份系列）、GeForce 100（部份系列）、GeForce 200（2008年6月，部份系列）

参考文献

^ 2006 industry roadmap （页面存档备份，存于互联网档案馆）, Table 40a

先前 90纳米制程	半导体器件制造制程	其後 45纳米制程

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