1微米制程

半导体器件制造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量互補式金屬氧化物半導體半导体器件（多閘極電晶體）摩尔定律晶體管數量半导体半导体产业纳电子学
查论编

1 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1985年至1986年左右达成。^[1]^[2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。这是第一个以CMOS为主的制程。

具有1微米制程的产品

于1985年推出的Intel 80386 CPU使用这个制程。^[1]

参考资料

^ ^1.0 ^1.1 Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）.
^ Myslewski, R. Happy 40th birthday, Intel 4004!. TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始内容存档于2015-04-27）.

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