10mA的鍺隧道二極體，裝在Tektronix 571曲線追蹤儀 隧道二極體 （英語：Tunnel Diode 江崎二極體 、穿隧效應二體 、穿隧二極體 、透納二極體 是一種有負阻特性 的二極體 ，其負阻特性來自量子穿隧效應 。隧道二極體是日本物理學家江崎玲於奈 和黒瀬百合子（Yuriko Kurose）在1957年時發明的，當時他任職於東京通訊工業株式會社（現在的索尼 ）[ 1] [ 2] [ 3] [ 4] 诺贝尔物理学奖 [ 5] 羅伯特·諾伊斯 在為威廉·肖克利 工作時也有有關隧道二極體的想法，但沒有繼續進行研究[ 6] [ 7] 通用电气 和其他公司在1960年代製造，目前仍有少量生產[ 8]
此種二極體是由高摻雜的PN接面 所形成（空乏區 通常只有10奈米寬），高摻雜會產生晶格 的破壞，讓N側的导带 电子排布 和P側的價帶 电子排布 有一部份的對齊。常用鍺 材製作，其他常用材料包括砷化鎵 、銻化鎵 或是矽。
隧道二極體在其部份工作範圍內存在負阻特性 ，可以可以用作电子振荡器 以及放大器 ，以及用在利用遲滯現象 的交流電路 混频器 以及無線電探測器 [ 9] :7–35 。隧道二極體的電容 量低，可以工作在微波 頻率下，這是一般的二極體以及晶体管 無法運作的條件。
8–12 GHz隧道二極體放大器，約在1970年 隧道二極體的輸出功率低，因此沒有廣泛的使用。其電壓擺動小，射頻 功率輸出只能到數百微瓦。不過近年來已開發了其他使用穿隧效應的新元件。谐振隧穿二极管 （RTD）的工作頻率已達到固态电子器件 振盪器的最高頻率[ 10]
另一種隧道二極體是金屬—絕緣體—絕緣體—金屬（MIIM）二極體，加上一層絕緣層，可以step tunneling，更精準的控制二極體[ 11] 金屬—絕緣體—金屬 [ 12]
在一般順向偏壓
隧道二極體的I V V 1 和V 2 之間的灰色電壓區域有負電阻特性 隧道二極體用在逆向偏壓下，稱為反向二極體 整流器 ，對功率信號有完美的線性度（其反向下有精準的平方律
10 mA 鍺隧道二極體的I V 在傳統的半導體二極體中，當P-N接面順向偏壓時，元件會導通，而P-N接面逆向偏壓時，電流無法流通。不過當逆向偏壓的電壓大到逆向崩潰電壓（reverse breakdown voltage）時，又會導通。在隧道二極體中，P層和N層滲雜劑的濃度大到使逆向崩潰電壓變成0，二極體在逆向偏壓時可以導通。不過在順向偏壓時，在某個電壓區間內，會因為量子穿隧效應的影響，當電壓增加時，順向電流反而下降。這種負阻特性 區間可以用作負電阻管振盪器 四极管 熱離子閥（真空管 ）。
隧道二極體可運作在微波頻段，其頻率遠高於四極管可以達到的頻率，因此可用在振盪器以及高頻閾值（觸發）裝置上。隧道二極體的應用包括UHF 電視調諧器的本身振盪器，示波器 中的觸發電路，高速計數器電路，以及上昇時間非常短的脈波產生電路。1977年Intelsat 通訊衛星 接收器用了一個microstrip隧道二極體放大器前極，頻段在14–15.5 GHz。這類放大器是當時的先進技術，高頻下的性能比所有電晶體的前極都要好[ 13] [ 9] :13–64 。在此元件發現之後，越來越多的傳統半導體性能已超過以往使用傳統振盪器技術的性能。對於許多的應用來說，三端子的元件（例如場效應電晶體）靈活度會比只有二個極子的要大。實務應用上，隧道二極體運作需要電流只有幾個微安，電壓小於一伏特，因此是低功率設備[ 14] 耿氏二极管 的頻率運作範圍和隧道二極體類似，但可以處理較大的功率。
隧道二極體抗輻射強化 的效果比其他二極體要好[來源請求]
隧道二極體容易因為過熱而損壞，因此在軟釺焊時需格外注意。
隧道二極體有個著名的的特點：壽命長，1960年代製作的元件仍能運作。江崎玲於奈等人在自然 期刊中提到，一般而言這類半導體元件非常穩定，若存放在室溫以下，推測其壽命是無限的。他們後來用一批製作50年的元件進行小量的測試，發現「二極體的壽命有令人滿意的結果。」。就像在一些隧道二極體樣品中所發現的一樣，鍍金鐵引腳其實會失锈，使得對外殼短路。這問題多半可以檢查出來，這可以用維修電話電路板常用的過氧化物及醋酸來處理，內部的隧道二極體仍可以運作[ 15]
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