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磁気抵抗効果素子磁気抵抗効果素子（じきていこうこうかそし、英語: Magneto Resistive Sensor）またはMRセンサーは、固体の電気抵抗が磁界によって変化する磁気抵抗効果を利用して磁場の大きさを計測することを目的とした磁気センサ。 概要異方向性磁気抵抗効果(AMR)、巨大磁気抵抗効果(GMR)、トンネル磁気抵抗効果(TMR)等、磁場によって変化する磁気抵抗効果を応用する[1]。磁界の向きには関係なく磁界の強さで抵抗値が変化する[1]。 アンチモン化インジウム (InSb) のような磁気抵抗効果を有する半導体を使用する[1]。
主な用途
関連項目
脚注外部リンク
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Index:
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