|
異方向性磁気抵抗効果異方向性磁気抵抗効果（AMR:Anisotropic Magneto Resistive effect）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。 概要Si或いはガラス基板と、その上に形成されたニッケル、鉄などの強磁性金属を主成分とする合金のパターニングされた薄膜は長手方向に磁壁（磁区と磁区の境界）が揃い、形状異方性を示す[1]。この強磁性薄膜金属に電流を流し、磁界Hが電流方向Yに対して垂直方向Xに印加された場合、磁界の強さに応じて抵抗値が低下する[1]。磁気抵抗効果素子ではこの効果を応用する。 外部磁界がない状態では、磁化がお互いに打ち消し合い、外部に磁界が発生しない状態だが、外部から磁場を印加した場合に外部磁界が弱い間には、磁壁が移動して外部磁界の方向と一致する磁区の体積が増えていくが徐々に外部磁界が強くなるにつれて、磁区の中で磁化の回転が生じ磁化の方向が外部磁界の方向に向くにつれて、磁壁が減少する。やがて全体が1つの磁区状態（単一磁区の状態）となり飽和する[1]。 関連項目脚注
|
Index:
pl ar de en es fr it arz nl ja pt ceb sv uk vi war zh ru af ast az bg zh-min-nan bn be ca cs cy da et el eo eu fa gl ko hi hr id he ka la lv lt hu mk ms min no nn ce uz kk ro simple sk sl sr sh fi ta tt th tg azb tr ur zh-yue hy my ace als am an hyw ban bjn map-bms ba be-tarask bcl bpy bar bs br cv nv eml hif fo fy ga gd gu hak ha hsb io ig ilo ia ie os is jv kn ht ku ckb ky mrj lb lij li lmo mai mg ml zh-classical mr xmf mzn cdo mn nap new ne frr oc mhr or as pa pnb ps pms nds crh qu sa sah sco sq scn si sd szl su sw tl shn te bug vec vo wa wuu yi yo diq bat-smg zu lad kbd ang smn ab roa-rup frp arc gn av ay bh bi bo bxr cbk-zam co za dag ary se pdc dv dsb myv ext fur gv gag inh ki glk gan guw xal haw rw kbp pam csb kw km kv koi kg gom ks gcr lo lbe ltg lez nia ln jbo lg mt mi tw mwl mdf mnw nqo fj nah na nds-nl nrm nov om pi pag pap pfl pcd krc kaa ksh rm rue sm sat sc trv stq nso sn cu so srn kab roa-tara tet tpi to chr tum tk tyv udm ug vep fiu-vro vls wo xh zea ty ak bm ch ny ee ff got iu ik kl mad cr pih ami pwn pnt dz rmy rn sg st tn ss ti din chy ts kcg ve
Portal di Ensiklopedia Dunia
