H302 : Nocif en cas d'ingestion H332 : Nocif par inhalation H360Df : Peut nuire au fœtus. Susceptible de nuire à la fertilité. H373 : Risque présumé d'effets graves pour les organes (indiquer tous les organes affectés, s'ils sont connus) à la suite d'expositions répétées ou d'une exposition prolongée (indiquer la voie d'exposition s'il est formellement prouvé qu'aucune autre voie d'exposition ne conduit au même danger) H410 : Très toxique pour les organismes aquatiques, entraîne des effets à long terme P264 : Se laver … soigneusement après manipulation. P280 : Porter des gants de protection/des vêtements de protection/un équipement de protection des yeux/du visage. P312 : Appeler un CENTRE ANTIPOISON ou un médecin en cas de malaise. P301+P330+P331 : En cas d'ingestion : rincer la bouche. NE PAS faire vomir. P304+P340 : En cas d'inhalation : transporter la victime à l’extérieur et la maintenir au repos dans une position où elle peut confortablement respirer.
piézoélectricité, c'est-à-dire qu'elles peuvent changer de forme si on leur applique un champ électrique, ou qu'elles peuvent générer une tension électrique entre deux faces lorsqu'on leur applique une déformation — propriété particulièrement utile pour les capteurs, les transducteurs, les actionneurs au sens large, etc. ;
pyroélectricité, c'est-à-dire qu'elles peuvent générer une tension électrique lorsqu'on modifie leur température, d'où des applications dans les sondes de température.
Ces matériaux ont été développés vers 1952 à l'université de technologie de Tokyo[3]. Ils présentent une meilleure sensibilité et des températures d'utilisation plus élevées que le titanate de baryum BaTiO3 utilisé jusqu'alors. Leur permittivité est particulièrement élevée, de l'ordre de 10 000 pour le PbZr0,52Ti0,48O3 à proximité de la limite de phase morphotrope[4] (MPB) à 456,85 °C (température de Curie) et 100 kHz[5], voire davantage en fonction du dopage, ces matériaux surclassant les matériaux piézoélectriques classiques tels que le quartz SiO2 ou les langasites La3Ga5SiO14. Certaines formulations sont ohmiques jusqu'à au moins 250 kV/cm, soit 25 MV/m, seuil au-delà duquel l'intensité du courant électrique croît exponentiellement en fonction du champ électrique avant d'atteindre l'effet d'avalanche. Les PZT ont un comportement retardé, l'avalanche pouvant survenir après plusieurs minutes à quelques heures d'application continue d'une tension constante, durée variant en fonction de la tension et de la température, de sorte que la rigidité diélectrique de ces matériaux dépend de l'échelle de temps pendant laquelle elle est mesurée[6].
Les PZT sont parmi les céramiques piézoélectriques les plus couramment utilisées en raison de leur résistance mécanique, de leur inertie chimique, de leur facilité de mise en forme et de leurs coûts de production relativement bas.
Leurs propriétés mécaniques, diélectriques, de couplage, de pertes, sont modulables selon leur teneur en zirconium et en titane.
On leur cherche des alternatives aussi efficaces mais moins toxiques ou non-toxiques, le candidat le plus prometteur (depuis un article paru dans Nature en 2004 par Saito et al.)[7] étant, encore au début des années 2020 (K, Na)NbO3 (KNN)[8].
Applications industrielles
Dans les produits commercialisés, les PZT ne sont généralement pas intégrés sous leur forme pure mais sont dopés en élémentsaccepteurs, qui introduisent des trous dans le matériau, ou donneurs, qui introduisent des électrons : un dopage en accepteurs donne un PZT « dur », dans lequel le mouvement des parois de domaines est freiné en diminuant les pertes mais aussi les coefficients piézoélectriques, tandis qu'un dopage en donneurs donne un PZT « mou », dans lequel les coefficients peiézoélectriques sont plus élevés, mais les pertes internes également. Ils sont mis en forme comme pièces massives, comme revêtement en couche mince, ou encore en gelpolymérisé (par exemple pour microsystèmes électromécaniques).
↑(en) M. A. A. Halim, M. N. A. Wahab, F. S. A. Saad, M. J. A. Safar et H. Ali, « Piezoelectric vibration control through fuzzy logic for direct current converter », 2010 6th International Colloquium on Signal Processing & its Applications, , article no 11465671 (DOI10.1109/CSPA.2010.5545244, lire en ligne)
↑(en) J. Rouquette, J. Haines, V. Bornand, M. Pintard, Ph. Papet, C. Bousquet, L. Konczewicz, F. A. Gorelli et S. Hull, « Pressure tuning of the morphotropic phase boundary in piezoelectric lead zirconate titanate », Physical Review B, vol. 70, no 1, , article no 014108 (DOI10.1103/PhysRevB.70.014108, Bibcode2004PhRvB..70a4108R, lire en ligne)
↑(en) Jelena D. Bobic, Mirjana M. Vijatovic Petrovic et Biljana D. Stojanovic, « 11 - Review of the most common relaxor ferroelectrics and their applications », Magnetic, Ferroelectric, and Multiferroic Metal Oxides, , p. 233-249 (DOI10.1016/B978-0-12-811180-2.00011-6, lire en ligne)
↑(en) R. Moazzami, C. Hu et W.H. Shepherd, « Electrical characteristics of ferroelectric PZT thin films for DRAM applications », IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, no 9, , p. 2044-2049 (DOI10.1109/16.155876, Bibcode1992ITED...39.2044M, lire en ligne)