ar %D8%AA%D8%B1%D8%B3%D9%8A%D8%A8 %D8%A7%D9%84%D8%B7%D8%A8%D9%82%D8%A9 %D8%A7%D9%84%D8%B0%D8%B1%D9%8A%D8%A9

ترسيب الطبقة الذرية ^{(ملاحظة 1)} هي تقنية ترسيب غشاء رقيق اعتماداً على عملية كيميائية في الطور الغازي، وهي تصنف ضمن عمليات الترسيب الكيميائي للبخار.

يعتمد أسلوب ترسيب الطبقة الذرية على استخدام مركبات طليعية بادئة، والتي تتفاعل مع سطح المادة المراد الترسيب عليها، مما يؤدي إلى تشكل بطيء من غشاء رقيق.

تعد تقنية ترسيب الطبقة الذرية مهماً في تصنيع مكونات من أشباه الموصلات، وكذلك في صناعة المواد النانوية.

طالع أيضاً

ترسيب كيميائي للبخار

هوامش

ملاحظة 1 المقابل باللغة الإنجليزية: Atomic layer deposition اختصاراً ALD

المراجع

^ Cremers، Véronique؛ Puurunen، Riikka L.؛ Dendooven، Jolien (4 أبريل 2019). "Conformality in atomic layer deposition: Current status overview of analysis and modelling". Applied Physics Reviews. AIP Publishing (نُشِر في يونيو 2019). ج. 6 ع. 2. DOI:10.1063/1.5060967. eISSN:1931-9401. hdl:1854/LU-8614054.

هذه بذرة مقالة عن موضوع علمي بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.

[1] Cremers، Véronique؛ Puurunen، Riikka L.؛ Dendooven، Jolien (4 أبريل 2019). "Conformality in atomic layer deposition: Current status overview of analysis and modelling". Applied Physics Reviews. AIP Publishing (نُشِر في يونيو 2019). ج. 6 ع. 2. DOI:10.1063/1.5060967. eISSN:1931-9401. hdl:1854/LU-8614054.

[1]