ترانزستور باعث للضوء

ترانزستور باعث للضوء
اختصار	LET
النوع	ترانزستور، ومكون باعث للضوء  [لغات أخرى]‏
مبدأ العمل	التألق الكهربي
المخترع	ميلتون فينغ نيك هولنياك وليد حافظ
الإنتاج الأول	2003
تعديل مصدري - تعديل

ترانزستور باعث للضوء (بالإنجليزية: Light-emitting transistor) (إختصارًا LET)، هو نوع من الترانزستورات التي تبعث موجات كهرومغناطيسية بشكل ضوء، من الممكن أن يكون ذو كفاءة أعلى من الثنائي الباعث للضوء.

نظرة تاريخية

في عدد 2004 من مجلة رسائل الفيزياء التطبيقية [الإنجليزية] أعلن يوم 5 يناير في بحث منشور لكل من ميلتون فينغ ونيك هولنياك (مخترعا أول ثنائي باعث للضوء عمليًا وليزر أشباه موصلات ضمن الطيف المرئي)، عن تمكنهما من إختراع أول ترانزستور باعث للضوء.[1]

الجهاز الهجين الذي تم تصنيعه من قبل طالب الدراسات العليا «وليد حافظ» تحت إشراف ميلتون فينغ يملك إدخال كهربائي منفرد مقابل إخراجين كهربائي وضوئي، يعمل بتردد 1 ميغا هرتز ومكون من فوسفيد إنديوم غاليوم (InGaP)، وزرنيخيد إنديوم غاليوم (InGaAs)، زرنيخيد الغاليوم (GaAs)، تمكن من إطلاق فوتونات أشعة تحت الحمراء من طبقة القاعدة.[2][3]

طالع أيضًا

• ترانزستور
• ترانزستور تأثير المجال
• ترانزستور ضوئي
• ترانزستور بصري

مراجع

1. Feng، M.؛ Holonyak، N.؛ Hafez، W. (5 يناير 2004). "Light-emitting transistor: Light emission from InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors". Applied Physics Letters. ج. 84 ع. 1: 151–153. DOI:10.1063/1.1637950. ISSN:0003-6951. مؤرشف من الأصل في 2021-10-28.
2. "First Light-Emitting Transistor". IEEE Spectrum (بالإنجليزية). 1 Jan 2004. Archived from the original on 2021-11-22. Retrieved 2021-11-21.
3. Kloeppel, James E. "New light-emitting transistor could revolutionize electronics industry". news.illinois.edu (بالإنجليزية الأمريكية). Archived from the original on 2020-04-06. Retrieved 2021-11-21.