|
寄生电容
寄生電容（parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或電路模組之間，由於相互靠近所形成的電容，寄生電容是寄生元件，多半是不可避免的，同時經常是設計時不希望得到的電容特性。寄生電容常常也會造成雜散振盪。 在現實中，所有的電路元件，例如電感元件、二極體和電晶體都具有內部電容，這些電容將使元件的性能與理想情況有所不同。此外，在任意兩段導體之間均有非零的電容，這種電容在高頻情況中體現得尤為突出，因此在印刷電路板設計中必須予以考慮。 功率MOSFET（Power MOSFET）的寄生電容可能會比較大，若直接利用微控制器的輸出來控制，可能會令微控制器受損。閘極驅動器就是用來解決寄生電容的問題，其輸出電流能力亦較大。 參見
|
Index:
pl ar de en es fr it arz nl ja pt ceb sv uk vi war zh ru af ast az bg zh-min-nan bn be ca cs cy da et el eo eu fa gl ko hi hr id he ka la lv lt hu mk ms min no nn ce uz kk ro simple sk sl sr sh fi ta tt th tg azb tr ur zh-yue hy my ace als am an hyw ban bjn map-bms ba be-tarask bcl bpy bar bs br cv nv eml hif fo fy ga gd gu hak ha hsb io ig ilo ia ie os is jv kn ht ku ckb ky mrj lb lij li lmo mai mg ml zh-classical mr xmf mzn cdo mn nap new ne frr oc mhr or as pa pnb ps pms nds crh qu sa sah sco sq scn si sd szl su sw tl shn te bug vec vo wa wuu yi yo diq bat-smg zu lad kbd ang smn ab roa-rup frp arc gn av ay bh bi bo bxr cbk-zam co za dag ary se pdc dv dsb myv ext fur gv gag inh ki glk gan guw xal haw rw kbp pam csb kw km kv koi kg gom ks gcr lo lbe ltg lez nia ln jbo lg mt mi tw mwl mdf mnw nqo fj nah na nds-nl nrm nov om pi pag pap pfl pcd krc kaa ksh rm rue sm sat sc trv stq nso sn cu so srn kab roa-tara tet tpi to chr tum tk tyv udm ug vep fiu-vro vls wo xh zea ty ak bm ch ny ee ff got iu ik kl mad cr pih ami pwn pnt dz rmy rn sg st tn ss ti din chy ts kcg ve
Portal di Ensiklopedia Dunia
