Са Чжітан

Са Чжітан
Народився1932(1932)
Пекін, Китай
Місце проживанняСША, Китай
КраїнаАмериканське
Діяльністьcondensed matter physicist, викладач університету, інженер-електрик
Alma materСтенфордський університет (1956)[1]
Університет Іллінойсу в Урбана-Шампейн (1953)
ГалузьФізика
ЗакладСтенфордський університет
Іллінойський університет
Науковий ступіньдоктор філософії
Науковий керівникKarl Spangenbergd[1]
ЧленствоАмериканське фізичне товариство
Китайська академія наук
Академія Сініка
Національна інженерна академія США
Відомий завдяки:Надрешітки
РідSa family of Yanmend
БатькоAdam Pen-Tung Sahd
Нагороди

J. J. Ebers Awardd (1981)

член Американського фізичного товариства[d]

honorary doctor of the Xiamen Universityd (2010)

IEEE Jack A. Morton Awardd (1989)

Са Чжітан (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит.: 萨支唐, нар. листопад 1932, Пекіні, Китай). Сьогодні почесний член відділення електричної та комп'ютерної інженерії Університету Флориди.[2]

Знайшов популярність в фізиці та техніці відомою моделлю Са при розгляді стандартних МДН-транзисторів, опублікованою в 1964 році.[3][4] Суть моделі Са полягає у спрощенні розгляду режиму сильної інверсії на поверхні напівпровідника, що виникає внаслідок ефекту поля і дозволяє отримати аналітичний розв'язок для вольт-амперних характеристик (ВАХ) МДН-транзисторів. В свою чергу це дозволило осмислено використовувати МДН-транзистори в техніці, бурхливий розвиток якої в 70-ті роки привів до розробки НВІС (надвеликих інтегральних схем), що широко використовуються навіть сьогодні при виробництві мікропроцесорів.

Нагороди

  • 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
  • 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
  • 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
  • 2000 — Вибраний в Китайську Академію Наук
  • 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
  • 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
  • 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
  • 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
  • 1995 — IEEE Life Fellow
  • 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
  • 1989 — IEEE Jack Morton Award
  • 1986 — Вибраний в Американську національну Академію Інженерів
  • 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
  • 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
  • 1971 — Член Американського Фізичного Товариства
  • 1969 — Член Американського Інституту з Електрики та Електронної Інженерії (IEEE)
  • 1000 World's Most Cited Scientists, 1865—1978, Інститут наукової інформації

Література

Виноски

  1. ↑ а б Математичний генеалогічний проєкт — 1997.
  2. ↑ www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html. Архів оригіналу за 12 листопада 2007. Процитовано 25 квітня 2008.
  3. ↑ C.T.Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
  4. ↑ Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.

Патенти

  • 3,204,160 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, August 1965
  • 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
  • 3,243,669 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, March 1969
  • Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
  • 4,343,962 — Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982