|
Принц, Виктор Яковлевич
Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область[1] — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область[6][2]) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019)[5][7]. Специалист в области полупроводников и нанотехнологий. Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур[5]. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур[8], состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков[9] и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами[5][10]. БиографияРодился 21 апреля 1950 года в городе Тавде Свердловской области[1] в семье высланных в начале Великой Отечественной войны крымских немцев, где с апреля 1941 по август 1945 гг. находился Тавдинский ИТЛ. После разрешения в 1956 году покинуть поселение семья переехала в город в Тараз в Казахстан. Используя приусадебный участок семья смогла выжить. Отец стал работал на заводе в литейном цехе, а мать — учителем[11]. В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика»[3]. С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, затем старшего научного сотрудника[12]. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко[4]. В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности, решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов[13][14]. С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктур[12]. В начале 1990-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них[13]. Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило в русскоязычной литературе название Принц-технологии[13][15][9][16]. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур»[4][17] (официальные оппоненты — В. Н. Брудный, Н. Ф. Морозов, А. В. Окотруб). Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группы ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ[12]. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing. Член редколлегии научного журнала ISRN Nanotechnology[12]. Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий[5] (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов[18]). По состоянию на сентябрь 2023 года имел более 2700 цитирований (Web of Science) своих работ[19]. Индекс Хирша (2023) — 23[19]. Умер 24 июня 2021 года[2] от COVID-19[20]. Похоронен на Южном кладбище Новосибирска[21]. Сын — Александр Викторович Принц[22]. Двоюродный дедушка — академик Яков Иванович Принц[11]. Научный вкладТройные растворы полупроводников с составом типа AxC1-xB (например, In0,25Ga0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников AIIIBV (например, GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения. Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкой[23]. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя биплёнку, состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. В. Я. Принц предложил[15] использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкой[24]. Этот метод получил название Принц-технология. Если удалить жертвенный слой (AlAs) посредством селективного травления, релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнки[24]. Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга, ориентируя узкие полоски бислоёв на подложках, можно создавать спирали и кольца[25]. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя, можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе GexSi1-x псевдоморфных плёнок[26][27]. В лаборатории В. Я. Принца изучался диоксид ванадия, который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO2 около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл[28]. СтатьиОсновные статьи
Статьи на русском языке
Диссертации
Примечания
Литература
Ссылки
|
||||||||||||||||||||||||||||
Portal di Ensiklopedia Dunia
