Лебедев, Александр Александрович (физик)
Алекса́ндр Алекса́ндрович Ле́бедев (род. 1959, СССР) — советский и российский физик-экспериментатор. Специализируется на изучении физических свойств карбида кремния и других широкозонных полупроводников, разрабатывает приборы на основе таких материалов. Автор более 300 научных трудов по данной тематике. В настоящее время заведует лабораторией и Отделением в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, гор. Санкт-Петербург. Доктор физико-математических наук, профессор. Биография, карьераРодился в 1959 году. Сын и полный тёзка Александра Александровича Лебедева (1929—1999), физика, доктора наук, всю жизнь проработавшего в ФТИ. Мать Лебедева-младшего, Майя Августовна (1929—2003), — кандидат наук, также сотрудница ФТИ. Дед по отцу, Александр Алексеевич (1893–1969), — учёный-оптик, сотрудник ГОИ, академик АН СССР[1]. По окончании обучения в ЛЭТИ принят на работу в ФТИ в лабораторию, возглавлявшуюся тогда В. Е. Челноковым. Появился в институте ещё студентом (как практикант в лаборатории И. В. Грехова). В свои первые трудовые годы активно взаимодействовал с отцом, вместе они опубликовали несколько статей. В Физтехе Лебедев прошёл все ступени служебной лестницы от старшего лаборанта до заведующего лабораторией и одновременно Отделением твердотельной электроники. Стал доктором физико-математических наук[2]. Параллельно с научной работой, преподавал в СПбГЭТУ[3]. Сейчас занимает там должность профессора кафедры оптоэлектроники. В 2019 году был одним из трёх претендентов на пост директора ФТИ РАН[2]. Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации физика и астрономия — премия им. А. Ф. Иоффе (Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115) за исследование электрофизических свойств карбида кремния и разработку приборов на его основе[4]. Научная деятельностьЛебедев — специалист в области физики, технологии и приборных применений широкозонных полупроводников, в первую очередь карбида кремния. При его участии[2]:
Автор более 300 публикаций, в том числе монографии и 6 авторских свидетельств и патентов[5]. В сотрудничестве лаборатории Лебедева с ПАО «Светлана-Электронприбор» разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов, а также организовано производство монокристаллов SiC. Преподавание, оргработаПодготовил трёх кандидатов наук. Входит в состав двух диссертационных советов, является членом редколлегии журнала "Advanced Materials Letters". Член научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела» с 2020 года[6]. Член экспертного совета РНФ, координатор секции: физика и науки о космосе[7]. Состоит в программных комитетах ряда международных конференций по физике карбида кремния и родственных материалов[2]. Примечания
Источники и ссылки
|
Portal di Ensiklopedia Dunia