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Vía a través de silicio En ingeniería electrónica, las vías a través del silicio[1] o TSV (del inglés through-silicon via) son conexiones verticales que atraviesan por completo tanto las obleas de silicio como las superficies individuales de los circuitos integrados, conocidas como pastillas o dados. La tecnología de creación de las TSV es utilizada como parte del proceso de fabricación de chips 3D, que incluyen decenas de capas de memoria apiladas. Gracias a la tecnología TSV, los chips tridimensionales pueden empaquetarse de forma que el área usada sea mínima sin que ello suponga una reducción de la funcionalidad del chip. Además, también posibilita la reducción de los caminos críticos existentes entre los componentes, aumentando de este modo la velocidad de las operaciones. En cuanto al proceso de fabricación de estas vías, generalmente son realizadas mediante láser o algún otro método de taladrado más o menos complejo, para posteriormente ser rellenas de cobre o algún otro material conductor. Además, dependiendo del material utilizado en las uniones, es conveniente realizar las TSV en un momento distinto dentro del proceso de fabricación de los chips 3D. De este modo, las recomendaciones son las siguientes:
Referencias
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