Isobutilgermano

Isobutilgermano
General
Fórmula molecular	C4H12Ge
Identificadores
Número CAS	768403-89-0[1]​
ChemSpider	21389305
PubChem	102393253
UNII	RB23LE749Q
InChI InChI=InChI=1S/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3 Key: PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Masa molar	134,015078 g/mol

El isobutilgermano (IBGe, fórmula química: (CH₃)₂CHCH₂GeH₃, es un compuesto de organogermanio. Es un líquido incoloro y volátil que se utiliza en MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) como alternativa al germano. El IBGe se utiliza en la deposición de películas de Ge y películas finas semiconductoras que contienen Ge, como el SiGe en aplicaciones de silicio tenso, y el GeSbTe en aplicaciones NAND Flash.

Propiedades

El IBGe es una fuente líquida no pirofórica para la deposición química en fase vapor (CVD) y la deposición de capas atómicas (ALD) de semiconductores. Posee una presión de vapor muy alta y es considerablemente menos peligroso que el gas germano. El IBGe también ofrece una temperatura de descomposición más baja (el inicio de la descomposición se produce a unos 325-350 °C),[2]​ junto con las ventajas de una baja incorporación de carbono y una reducción de las impurezas elementales del grupo principal en el germanio cultivado epitaxialmente que comprende capas como Ge, SiGe, SiGeC, silicio tenso, GeSb y GeSbTe.

Usos

Rohm and Haas (ahora parte de The Dow Chemical Company), el IMEM y el CNRS han desarrollado un proceso para hacer crecer películas de germanio sobre germanio a bajas temperaturas en un reactor de epitaxia en fase vapor metalorgánica (MOVPE) utilizando isobutilgermano. El objetivo de la investigación son los heterodispositivos Ge/III-V.[3]​[4]​ Se ha demostrado que se puede conseguir el crecimiento de películas de germanio de alta calidad a temperaturas tan bajas como 350 °C.[5]​[6]​ La baja temperatura de crecimiento de 350 °C que se consigue con este nuevo precursor ha eliminado el efecto memoria del germanio en los materiales III-V. Recientemente, el IBGe se utiliza para depositar películas epitaxiales de Ge sobre un sustrato de Si o Ge, seguido de la deposición MOVPE de capas de InGaP e InGaAs sin efecto memoria, para permitir células solares de triple unión y la integración de compuestos III-V con Silicio y Germanio. Se demostró que el isobutilgermano también podía utilizarse para el crecimiento de nanocables de germanio utilizando oro como catalizador.[7]​

Referencias

1. Número CAS
2. Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE; D.V. Shenai et al., Presentation at ICMOVPE-XIII, Miyazaki, Japan, June 1, 2006, and publication in Journal of Crystal Growth (2007)
3. Woelk, Egbert; Shenai-Khatkhate, Deodatta V.; Dicarlo, Ronald L.; Amamchyan, Artashes; Power, Michael B.; Lamare, Bruno; Beaudoin, Grégoire; Sagnes, Isabelle (2006). «Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films». Journal of Crystal Growth 287 (2): 684-687. Bibcode:2006JCrGr.287..684W. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094. 
4. Shenai-Khatkhate et al., Rohm and Haas Electronic Materials; Presentation at ACCGE-16, Montana, USA, July 11, 2005, and publication in Journal of Crystal Growth (2006)
5. MOVPE growth of homoepitaxial germanium, M. Bosi et al. publication in Journal of Crystal Growth (2008)
6. Homo and Hetero Epitaxy of Germanium Using Isobutylgermane, G. Attolini et al. publication in Thin Solid Films (2008)
7. Growth of germanium nanowires with isobuthyl germane, M. Bosi et al. publication in Nanotechnology (2019)

Otras lecturas

• IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
• Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
• Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films (enlace roto disponible en Internet Archive; véase el historial, la primera versión y la última).; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
• Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
• Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.

Enlaces externos

• Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN CNRS
• IMEM-CNR Institute
• Esta obra contiene una traducción derivada de «Isobutylgermane» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.

• Datos: Q1826394
• Multimedia: Isobutylgermane / Q1826394