氧化铟 是一种无机化合物 ，化学式 为In2 O3 ，是一种兩性 氧化物 ，且为铟 最稳定的氧化物 。
块状样品可通过铟（Ⅲ）的氢氧化物 、硝酸盐 、碳酸盐 或硫酸盐 的热分解来制备[ 2] 氩 /氧 气中铟靶的溅射沉积来制备。它们可被用作半导体 的扩散阻挡层 铝 和硅 之间的扩散[ 3]
氧化铟在700℃分解为氧化亚铟 （一氧化二铟），其于2000℃进一步分解。
淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱，但棕红色的相对难溶。[ 4] 氨 在高温下反应，形成氮化铟 。[ 5]
In2 O3 +2NH3 → 2InN + 3H2 O 同样地，氧化铟也能被氢气 还原，产生氧化亚铟或金属铟 ：[ 6]
In2 O3 + 3 H2 → 2 In + 3 H2 O
In2 O3 + 2 H2 → In2 O + 2 H2 O 氧化铟和Cs2 O 在600℃反应，可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯（CsInO2 ）[ 4] K2 O 和铟可以形成分子式为K5 InO4 的化合物，其中有四面体结构的InO4 5− 。[ 7]
和一些三价金属氧化物反应，可以形成钙钛矿 结构的化合物[ 8]
In2 O3 + Cr2 O3 → 2 InCrO3
氧化铟被使用在一些类型的电池，对可见光透明的薄膜 红外线 反射镜（热镜 抗静电涂料 。二氧化锡的组合，氧化铟形式的氧化铟锡 （也称为锡掺杂的氧化铟或ITO）用于透明导电涂层的材料。
在半导体中，氧化铟可以作为一种n型半导体 ，用于集成电路 中的电阻器 。[ 9]
在组织学 ，氧化铟被用作一些染色剂 配方的一部分。
^ Marezio, M. Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths. Acta Crystallographica. 1966, 20 (6): 723–728. ISSN 0365-110X doi:10.1107/S0365110X66001749 ^ Anthony John Downs. Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. 1993. ISBN 0-7514-0103-X ^ Kolawa, E. and Garland, C. and Tran, L. and Nieh, C. W. and Molarius, J. M. and Flick, W. and Nicolet, M.-A. and Wei, J. Indium oxide diffusion barriers for Al/Si metallizations . Applied Physics Letters. 1988, 53 (26): 2644–2646 [2016-09-23 ] . doi:10.1063/1.100541 存档 于2011-07-25）. ^ 4.0 4.1 无机化学丛书 第二卷 铍 碱土金属 镓分族. 科学出版社. pp 605. 3.12 氧化物、氢氧化物
^ Egon Wiberg, Arnold Frederick Holleman (2001) Inorganic Chemistry , Elsevier ISBN 0123526515
^ 曹忠良, 王珍云. 无机化学反应方程式手册. 湖南科学技术出版社. pp 159. In2 O3
^ Lulei, M.; Hoppe, R. Über "Orthoindate" der Alkalimetalle: Zur Kenntnis von K5[InO4]. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 1994, 620 (2): 210–224. ISSN 0044-2313 doi:10.1002/zaac.19946200205 ^ Shannon, Robert D. Synthesis of some new perovskites containing indium and thallium. Inorganic Chemistry. 1967, 6 (8): 1474–1478. ISSN 0020-1669 doi:10.1021/ic50054a009 ^ In2 O3 (Indium Oxide) . CeramicMaterials.info. [2008-10-29 ] . （原始内容 存档于2008-06-30）.
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