|
Инденбом, Владимир Львович
Владимир Львович Инденбом (8 ноября 1924 года — 5 марта 1998 года) — советский учёный физик-кристаллограф, лауреат премии имени Е. С. Фёдорова (1994). Сын советского кинорежиссёра Льва Ароновича Инденбома (1903—1970). БиографияРодился 8 ноября 1924 года. Участник Великой Отечественной войны, старший лейтенант, командир артиллерийской батареи, воевал на территории Венгрии и Австрии. После окончания войны поступил на физический факультет МГУ, который окончил в 1950 году. После окончания Университета получил распределение на Московский завод кинескопов, где внес ряд предложений, которые приводили к уменьшению процента брака продукции, во время работы в лаборатории завода обобщил теорию фотоупругости и поляризационно-оптических измерений напряжений в стеклах, и внедрил её в практику, а теория термоупругих напряжений в стёклах стала основой его кандидатской диссертации. В 1955 году по приглашению М. В. Классен-Неклюдовой, руководившей созданной ею лабораторией механических свойств кристаллов, перешёл в Институт кристаллографии (в настоящее время — Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова РАН). В 1964 году — защитил докторскую диссертацию. В 1966 году — по предложению директора Института кристаллографии Б. К. Вайнштейна, основал и возглавил теоретический отдел института, и в первый набор пришли: В. И. Альшиц, М. Х. Блехерман, Г. Н. Дубнова, С. С. Орлов, Б. В. Петухов, С. А. Пикин, И. Ш. Слободецкий, В. М. Чернов, Ф. Н. Чуховский, А. А. Штольберг, Ю. З. Эстрин. Умер 5 марта 1998 года. Научная деятельностьСпециалист в области кристаллографии, вёл разработки в области теории дислокаций. Заложил основы новой теории внутренних напряжений в кристаллах, которая была продолжением его предыдущей деятельности. Поставил и решил фундаментальные проблемы теории пластических явлений, разработал механизмы и модели зарождения и развития трещин в кристаллах, инициировал широкое экспериментальное и теоретическое изучение динамики дислокаций. В результате его исследований стало доказательство в конце шестидесятых годов теоремы Инденбома-Орлова, позволяющей свести упругие поля произвольных криволинейных дислокаций к полям прямолинейных. Выдвинул новый нетривиальный подход к теории фазовых превращений и на этой основе предсказаны новые типы переходов (например, несобственные сегнетоэлектрики), а также построена оригинальная систематизация разных типов превращений. Отдел с ним во главе вёл исследования в следующих областях: теория внутренних напряжений в кристаллах, теория дислокаций (статика и динамика), теория микротрещин, теория динамической дифракции рентгеновских лучей и электронных пучков на дефектах в кристалле, теория фазовых превращений, а немного позднее и теория жидких кристаллов, и в которых он сам принимал активное участие. Помимо теоретических изысканий, занимался вполне практическими проблемами: регулированием внутренних напряжений при росте кристаллов, механизмами лазерного разрушения кристаллов, причинами деградации материалов под влиянием радиационных воздействий, методами контроля дефектов в полупроводниках. Проводил Бакурианскую зимнюю школу по радиационной физике, Московский семинар по дефектам в кремнии. Награды
Из библиографии
Примечания
Ссылки
|
||||||||||||||||||||||||
