fr Satoshi Hiyamizu

Biographie
Naissance	25 février 1943; Osaka
Décès	7 février 2019 (à 75 ans)
Nom dans la langue maternelle	冷水佐尋
Nationalité	japonaise
Formation	Université d'Osaka
Activités	Ingénieur, professeur
A travaillé pour	Université d'Osaka (à partir de 1987); Fujitsu Laboratories (d) (1973-1986)
Distinctions	Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (1990); 大阪科学賞 (1991); Membre de l'IEEE (2001)

Satoshi Hiyamizu (冷水佐壽, Hiyamizu Satoshi^?) est un professeur d'électrotechnique.

Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la revue japonaise de physique appliquée (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les gaz d'électrons bi-dimensionnels tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé IEEE Fellow « pour sa contribution à la réalisation du premier transistor d'électrons à haute mobilité (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002.

Liens externes

Satoshi Hiyamizu et al., "Extremely High Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped GaAs/N-AlGaAs Heterojunction Structures Grown by MBE", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.20 (1981) Pt.2 No.4, pp. L245-L248.
IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award recipients
IEEE Fellow Class of 2001
IEEE Fellow Class of 2001 (Tokyo section)
Osaka University Graduate School of Engineering - history

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Satoshi Hiyamizu » (voir la liste des auteurs).