أكسيد الهافنيوم الرباعيمركب كيميائي له الصيغة HfO2، ويكون على شكل بلورات بيضاء إلى زهرية. يدعى هذا الأكسيد باسم هافينا، ويعد واحداً من أكثر المركبات ثباتاً وشيوعاً بالنسبة لعنصر الهافنيوم.
يستخدم أكسيد الهافنيوم الرباعي في الطلي البصري Optical coating، كما أن له قيمة ثابت عزل كهربائي عالية في مكثفاتذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. إن أكسيد الهافنيوم من المركبات المرشحة حالياً لحلول محل ثنائي أكسيد السيليكون كعازل في المقحلات الحقلية (ترانزستورات حقلية)، ويعود ذلك إلى ارتفاع قيمة ثلبت العزل الكهربائي التي تبلغ 25، في حين أنها لثنائي أكسيد السيليكون 3.9.[3] نظراً لخواصه المميزة فإن كلاً من شركتي آي بي إموإنتل يخططان لاستعماله كدعامة للدارات المتكاملة المستقبلية، وذلك من أجل رفع كفاءة عمل الدارات الإلكترونية في الحاسوب.[4]
بسبب ارتفاع نقطة انصهاره فإن أكسيد الهفنيوم الرباعي يستخدم كمادة عاكسة مستخدمة في عزل أجهزة مثل المزدوجة الحرارية، والتي يمكن أن تعمل عند درجات حرارة مرتفة تصل إلى 2500°س.[5]
يستخدم أكسيد الهافنيوم الرباعي في تركيب ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة المبنية من أنابيب نانوية كربونية، حيث حلت محل ثنائي أكسيد السيليكون كمادة عازلة فيها، مما قلل من الزمن اللازم للوصول إلى الذاكرة من عدة ميلي ثوان إلى حوالي 100 نانو ثانية، بالتالي رفع من كفاءة قراءة وكتابة هذه الذواكر إلى عامل 100,000.[6]