Node "22 nm" adalah langkah proses setelah 32 nm dalam fabrikasi perangkat semikonduktor CMOS MOSFET. Half-pitch yang khas (yaitu, setengah jarak antara fitur identik dalam array) untuk sel memori yang menggunakan proses ini adalah sekitar 22 nm. Ini pertama kali didemonstrasikan oleh perusahaan semikonduktor untuk digunakan dalam memori RAM pada tahun 2008. Pada tahun 2010, Toshiba mulai mengirimkan chip memori flash 24 nm , dan Samsung Electronics mulai memproduksi secara massal chip memori flash 20 nm. Pengiriman CPU tingkat konsumen pertama yang menggunakan proses 22 nm dimulai pada bulan April 2012 dengan prosesor Intel Ivy Bridge.[1][2][3][4]
Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "22nm" adalah dua puluh dua nanometer.
Pembaruan Proses Front End ITRS 2006 menunjukkan bahwa ketebalan oksida fisik yang setara tidak akan berskala di bawah 0,5 nm (kira-kira dua kali diameter atom silikon ), yang merupakan nilai yang diharapkan pada simpul 22 nm. Ini merupakan indikasi bahwa penskalaan CMOS di area ini telah mencapai batasnya pada saat ini, kemungkinan mengganggu hukum Moore.
Node 20 nanometer adalah die shrink setengah node perantara berdasarkan proses 22 nanometer.
TSMC memulai produksi massal node 20 nm pada tahun 2014. Proses 22 nm digantikan oleh teknologi FinFET komersial 14 nm pada tahun 2014.
Lihat pula
Referensi