Indi phosphide

Indi phosphide
Tên khácIndi(III) phosphua
Nhận dạng
Số CAS22398-80-7
PubChem31170
Ảnh Jmol-3D
ảnh 2
SMILES
đầy đủ

  • [In+3].[P-3]

    [In]#P

InChI
đầy đủ
  • 1/In.P/rInP/c1-2
Thuộc tính
Công thức phân tửInP
Khối lượng mol145.792 g/mol
Bề ngoàitinh thể lập phương đen
Khối lượng riêng4.81 g/cm³, rắn
Điểm nóng chảy 1.062 °C (1.335 K; 1.944 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tantan ít trong axit[1]
BandGap1.344 eV (300 K; direct)
ElectronMobility5400 cm²/(V•s) (300 K)
Độ dẫn nhiệt0.68 W/(cm•K) (300 K)
Chiết suất (nD)3.1 (infrared);
3.55 (632.8 nm)[2]
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thểZinc blende
Hằng số mạnga = 5.8687 Å [3]
Tọa độTetrahedral
Nhiệt hóa học
Enthalpy
hình thành ΔfHo298		-88.7 kJ/mol
Entropy mol tiêu chuẩn So29859.8 J/(mol•K)
Nhiệt dung45.4 J/(mol•K)[4]
Các nguy hiểm
Nguy hiểm chínhĐộc, thủy phân ra phốtphin
Các hợp chất liên quan
Anion khácIndi nitride
Indi arsenua
Indi antimonua
Cation khácNhôm phosphua
Gali phosphua
Hợp chất liên quanIndi gali phosphua
Nhôm gali indi phosphua
Gali indi arsenua antimonua phosphua
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa).
☑Y kiểm chứng (cái gì ☑YKhôngN ?)

Indi phosphua hay phosphua indi (InP) là một chất bán dẫn nhị phân bao gồm indi và phosphor. Nó có cấu trúc tinh thể hình khối đặt chính giữa mặt ("Zincblende"), giống hệt với GaAs và hầu hết các chất bán dẫn III-V.[5]

InP được sử dụng cùng với indi gali arsenua để tạo ra transistor lưỡng cực dị thể giả (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) có thể hoạt động ở tần số 604 GHz.[6]

Tham khảo

  1. ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
  2. ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), “The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry”, Journal of Materials Science Letters, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
  3. ^ “Basic Parameters of InP”.
  4. ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản thứ 87), Boca Raton, Florida: CRC Press, tr. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2
  5. ^ Indium Phosphide at HSDB
  6. ^ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. April 2005

Liên kết ngoài