Плазмова установка (фіолетове забарвлення) прискорює ріст вуглецевих нанотрубок в лабораторній установці PECVD.
Хімі́чне оса́дження з парово́ї фа́зи, ХОПФ (англ.Chemical vapor deposition, CVD) — хімічний процес, метод нанесення покриття, що використовується для отримання високоякісних чистих твердих матеріалів з високими характеристиками.
Процес полягає в нанесенні зовнішнього покриття або покриття з модифікацією поверхні, що покривається, коли метал, сплав, композиційний матеріал, діелектрик або кераміка осаджується на розігріту підкладку (основу). Газоподібні реагенти розпадаються або сполучаються поблизу підкладки або на самій підкладці. В результаті цього на підкладці осаджується необхідний матеріал у формі хімічного елемента, сплаву або сполуки. Енергія для зазначених хімічних реакцій може бути забезпечена нагріванням підкладки плазмовим розрядом або променем лазера.
Наукова література описує різноманітні різновиди хімічного осадження з парової фази. Різницю становлять способи запуску хімічних реакцій та умовами.
Класифікація за тиском
ХОПФ при атмосферному тиску (англ.Atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при атмосферному тиску.
ХОПФ при низькому тиску (англ.Low pressure chemical vapor deposition, LPCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при тиску, що є нижчим за атмосферний. Низький тиск зменшує імовірність небажаних реакцій в газовій фазі та призводить до більш рівномірного осадженню плівки на підкладку.
ХОПФ при ультрависокому вакуумі (англ.Ultra-high vacuum chemical vapor deposition, UHVCVD) — процес хімічного осадження з парової фази відбувається при надзвичайно низькому тиску, зазвичай нижче 10−6Па (~10−8міліметрів ртутного стовпа).
Більшість сучасних процесів ХОПФ є або LPCVD, або ж UHVCVD.
Класифікація за фізичними характеристиками пари
ХОПФ, що підтримується аерозолем (англ.Aerosol-assisted chemical vapor deposition, AACVD)
ХОПФ з прямою інжекцією рідини (англ.Direct liquid injection chemical vapor deposition, DLICVD)
Плазмові методи
ХОПФ, що підтримується мікрохвильовою плазмою (англ.Microvawe plasma-assisted chemical vapor deposition, MPCVD)
ХОПФ, що посилюється плазмою (англ.Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)
ХОПФ, що посилюється непрямою плазмою (англ.Remote plasma-enhanced chemical vapor deposition, RPECVD)
Атомно-шарове ХОПФ (англ.Atomic layer chemical vapor deposition, ALCVD) — при цьому процесі формуються послідовні шари різноманітних матеріалів для утворення багатошарових кристалічних плівок.
ХОПФ спалювання (англ.Combustion chemical vapor deposition, CCVD) — процес, що відбувається у відкритій атмосфері, оснований на технології спалювання для осадження високоякісних тонких плівок та наноматеріалів.
ХОПФ з гарячим дротом (англ.Hot wire chemical vapor deposition, HWCVD) — метод, також відомий як каталітичне ХОПФ (англ.catalytic chemical vapor deposition, Cat-CVD) або ХОПФ з гарячим наповненням (англ.hot filament chemical vapor deposition, HFCVD), що використовує гарячий наповнювач для хімічного розпаду газів.
ХОПФ металорганічних сполук (англ.Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD) — процес, що використовує металорганічніпрекурсори.
Гібридне фізико-хімічне осадження з парової фази (англ.Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD) — процес осадження з парової фази, що включає як хімічний розпад прекурсорного газу, так і випаровування твердого матеріалу.
Швидке термічне ХОПФ (англ.Rapid thermal chemical vapor deposition, RTCVD) — процес, в якому використовуються лампи розжарювання або інші методи для швидкого нагріву пластини підкладки. Розігрів лише підкладки, а не газу чи стінок камери, допомагає зменшити небажані реакції газової фази, які можуть призвести до утворення часток.
Фотохімічне осадження з парової фази (англ.Photochemical vapor deposition, PCVD)
