Вакансія (кристалографія)

Електронна мікроскопія вакансій сірки в моношарі дисульфіду молібдену. Обведена точка праворуч показує дивакансію, тобто атоми сірки відсутні як вище, так і нижче шару молібдену. Інші кола показують поодинокі вакансії, тобто атоми сірки відсутні тільки вище або нижче шару молібдену. Шкала : 1 нм.[1]

Вакансія (англ. vacancy, lattice vacancy; нім. Kristallbaufehler, Vakanz) — дефект кристалу, що полягає у відсутності атома або йона у вузлі кристалічної ґратки. Інакше кажучи, вакансія — місце, де в разі ідеального кристала має розташовуватися атом (іон), але насправді його в цьому положенні немає

Вакансія поряд із міжвузловим атомом належать до точкових дефектів кристалічної ґратки.

Певна доля вакансій у твердому тілі утворюється внаслідок теплового руху. Проте основним джерелом вакансій і міжвузлових атомів є опромінення високоенергетичними частками: йонами, нейтронами чи гамма-квантами.

В напівпровідниках вакансії можуть зв'язувати електрони, утворюючи заряджені комплекси.

При інтерсивному нейтронному опроміненні, наприклад у ядерному реакторі, вакансії можуть об'єднуватися в різноманітні комплекси із атомами домішок і утворювати вакансійні пори, які призводять до розпухання конструктивних матеріалів ядерних реакторів.

Див. також

Література

  • Мала гірнича енциклопедія : у 3 т. / за ред. В. С. Білецького. — Д. : Донбас, 2004. — Т. 1 : А — К. — 640 с. — ISBN 966-7804-14-3.
  • Глосарій термінів з хімії // Й. Опейда, О. Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л. М. Литвиненка НАН України, Донецький національний університет. — Донецьк: Вебер, 2008. — 758 с. — ISBN 978-966-335-206-0

Примітки

  1. ↑ Hong, J.; Hu, Z.; Probert, M.; Li, K.; Lv, D.; Yang, X.; Gu, L.; Mao, N.; Feng, Q.; Xie, L.; Zhang, J.; Wu, D.; Zhang, Z.; Jin, C.; Ji, W.; Zhang, X.; Yuan, J.; Zhang, Z. (2015). Exploring atomic defects in molybdenum disulphide monolayers. Nature Communications. 6: 6293. Bibcode:2015NatCo...6E6293H. doi:10.1038/ncomms7293. PMC 4346634. PMID 25695374.