Хайкин, Моисей Семёнович

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Хайкин.
Моисей Семёнович Хайкин
Дата рождения 5 декабря 1921(1921-12-05)
Дата смерти 7 декабря 1990(1990-12-07) (69 лет)
Страна  СССР
Род деятельности физик
Научная сфера физика
Место работы ИФП АН СССР
Альма-матер физический факультет МГУ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание член-корреспондент АН СССР
Награды и премии

Моисей Семёнович Хайкин (5 декабря 1921, Москва — 7 декабря 1990, там же) — советский физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, член-корреспондент АН СССР (1987).

Биография

Родился 5 декабря 1921 года в Москве семье известного физика и радиоастронома С. Э. Хайкина. Племянник дирижёра Б. Э. Хайкина. В 1947 году окончил МГУ. С 1945 года работал в Институте физических проблем АН СССР. Ученик А. И. Шальникова и И. В. Обреимова. Кандидатскую диссертацию на тему «Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводящего олова на частоте 9400 мегагерц» защитил в 1952 году. В 1962 году получил ученую степень доктора физ.-мат. наук. Тема докторской диссертации — «Исследование свойств электронов проводимости металлов на сверхвысоких частотах». Преподавал в МГУ и МФТИ, профессор.

Скончался 7 декабря 1990 года. Похоронен на Донском кладбище (уч. у колумбария 12)[1].

Семья

Жена — Ирина Петровна Голямина (1924—2015), физик-акустик, научный сотрудник Акустического института АН СССР[2].

Научная деятельность

Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).

Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).[3]

Обнаружил сверхпроводимость вблизи плоскости двойникования в металлах, в ряде случаев приводящую к значительному повышению температуры сверхпроводящего перехода (1978—1983).

Инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии. Создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987). Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).

Награды

Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию.

Примечания

  1. ↑ Могила М. С. Хайкина. Дата обращения: 25 марта 2017. Архивировано 1 июня 2017 года.
  2. ↑ Некролог в «Акустическом журнале» (2016). Дата обращения: 22 ноября 2022. Архивировано 22 ноября 2022 года.
  3. ↑ Научное открытие «Осцилляторная зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля» Автор: М. С. Хайкин. Номер и дата приоритета: № 16 от 30 апреля 1960 г. Дата обращения: 19 июня 2022. Архивировано 26 ноября 2020 года.

Источники