|
Таиров, Юрий Михайлович
Юрий Михайлович Таиров (1 ноября 1931, Псков — 14 декабря 2019[1]) — специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и электронных приборов на их основе. Автор свыше 300 научных публикаций, в том числе 5 монографий. Доктор технических наук (1975), профессор (1977). Кавалер ордена Трудового Красного Знамени. БиографияВ подростково-юношеском возрасте обучался в ЛНВМУ (1944—1950)[2]. После его окончания поступил в ЛЭТИ (1950), но вскоре в 1951 г. был сослан в Казахстан как сын «врага народа» (отец Михаил Алексеевич Таиров арестован в 1949 г. по так называемому «ленинградскому делу», реабилитирован в 1954 г.). В 1953 г., после смерти Сталина, был реабилитирован и восстановлен в качестве студента в ЛЭТИ. До 1959 года работал в должности студента-лаборанта. В 1959 г. окончил кафедру диэлектриков и полупроводников и получил диплом инженера-электрофизика. С этого года работал на кафедре диэлектриков и полупроводников (теперь кафедра микро- и наноэлектроники) в должности старшего инженера проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках. В 1959/1960 учебном году стажировался в Калифорнийском университете (Беркли, США). Там Таиров познакомился с достижениями зарубежных ученых, прослушал курсы квантовой механики, физики твердого тела, теории полупроводников. С 1959 по 1962 года состоял в аспирантуре. По возвращении стал заниматься синтезом монокристаллического карбида кремния и в 1963 г. успешно защитил кандидатскую, в 1975 г. докторскую диссертации по этой тематике. В 1964-65 гг. был ассистентом кафедры, в 1965—1975 гг. — доцентом. Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. был профессором кафедры диэлектриков и полупроводников. Читал курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др. С 1984 по 2009 годы заведующий кафедрой. Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового карбида кремния различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира[3][4]. Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др. Под его руководством было защищено более 50 кандидатских и докторских диссертаций. Участник и руководитель первых ССО Института, секретарь Комитета ВЛКСМ ЛЭТИ, заместитель секретаря парткома ЛЭТИ. В последние годы руководил Исторической комиссией учёного совета ЛЭТИ. Был женат. Супруга — Светлана Эмильевна — выпускница консерватории в Ленинграде, редактор музыкальных радиопередач, нотный редактор[2]. Младшая сестра Галина — учёный-аграрий, младший брат Сергей — инженер, разработчик микроэлектронных аппаратов в НПО «Позитрон»[5]. НаградыЛауреат премии правительства Российской Федерации в области образования, Заслуженный деятель науки и техники РФ (1992), Заслуженный профессор ЛЭТИ, Соросовский профессор (1997—2001), Почётный доктор Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого (2001). Кавалер ордена Трудового Красного Знамени и ордена Почёта, обладатель ряда медалей, отмечен Почётным знаком ЛЭТИ «За заслуги». Труды
Литература
Примечания
|
||||||||||||||||||||
