Суперструктура поверхностиСуперструктура поверхности (англ. surface superstructure) — термин, используемый для обозначения специфической структуры верхнего атомного слоя (или нескольких слоев) кристалла[1]. ОписаниеВозникновение термина «суперструктура» обусловлено тем, что структура поверхностного слоя может сильно отличаться от структуры нижележащих слоев кристалла, причем это имеет место даже для атомарно-чистых поверхностей, в отсутствие каких-либо посторонних адсорбатов[1]. Запись для обозначения определенной суперструктуры связывает её двумерную решетку с решеткой идеальной плоскости подложки. Обычно это делается с помощью одного из двух способов, представленных ниже. Запись, предложенная Парком и Мадденом, заключается в определении матрицы, которая устанавливает связь между векторами примитивных трансляций поверхности и векторами примитивных трансляций идеальной плоскости подложки. Если {as,bs} и {a,b} — векторы трансляций суперструктуры и плоскости подложки соответственно, то они могут быть описаны соотношениями и суперструктура может быть представлена в виде матрицы G Иногда используется и запись в виде (G11, G12)×(G21, G22).[1] Более наглядная, но менее универсальная запись была предложена Элизабет Вуд. В этой записи указывается отношение длин векторов примитивных трансляций суперструктуры и плоскости подложки. Если необходимо, то указывается и угол, на который следует повернуть элементарную ячейку поверхности, чтобы её оси совместились с векторами примитивных трансляций подложки. Таким образом, если на поверхности подложки X(hkl) образовалась суперструктура с векторами примитивных трансляций |as|=m|a|, |bs|=n|b| и углом поворота φ, то эта суперструктура описывается в виде X(hkl)m×n-Rφ.[1] Если оси элементарной ячейки совпадают с осями подложки, т. е. φ = 0, то нулевой угол поворота не указывается (например, Si(111)7×7). Для обозначения центрированной решетки используется буква c (например, Si(111)c(4×2)). Если образование суперструктуры вызвано адсорбатом, то в конце записи указывается химический символ этого адсорбата (например, Si(111)4×1-In) .[1] Реконструкцию поверхности изучают с помощью методов чувствительных к расположению атомов на поверхности таких как дифракция медленных электронов и сканирующая туннельная микроскопия. Примечания
Литература
|