|
Келдыш, Леонид Вениаминович
Леони́д Вениами́нович Ке́лдыш (7 апреля 1931, Москва, РСФСР — 11 ноября 2016, Москва[2]) — советский и российский физик-теоретик, академик РАН (академик АН СССР с 1976), доктор физико-математических наук (1965), профессор. Работы Л. В. Келдыша сыграли важную роль в развитии физики твёрдого тела[3]. БиографияСын докторов физико-математических наук Людмилы Всеволодовны Келдыш и Вениамина Львовича Грановского. Внук Всеволода Михайловича Келдыша. В 1934 году мать вышла замуж за математика, доктора физико-математических наук Петра Сергеевича Новикова. Окончив школу с золотой медалью, поступил на физический факультет МГУ, после окончания которого в 1954 году стал аспирантом теоретического отдела Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН) (его научным руководителем был В. Л. Гинзбург). С 1957 года и до конца жизни работал в теоретическом отделе ФИАНа, а в 1989—1994 годах занимал пост директора института. В 1965 году защитил диссертацию; по результатам защиты вместо кандидатской степени ему была сразу присвоена докторская[4]. В 1962 году стал профессором МФТИ, в 1965 — профессором МГУ, с 1978 по 2001 год занимал должность заведующего кафедрой квантовой радиофизики физического факультета МГУ, в 2004—2011 годах также сотрудничал с факультетом физики и астрономии Техасского университета A&M. В 1968 году был избран членом-корреспондентом АН СССР, в 1976 году — академиком, в 1991—1996 годах занимал пост академика-секретаря Отделения общей физики и астрономии РАН, затем — советник Президиума РАН и председатель Национального комитета российских физиков. В течение многих лет был членом редакционных коллегий журналов «Физика и техника полупроводников», «Доклады РАН», «Solid State Communications», с 29 декабря 2009 года до конца жизни работал главным редактором журнала «Успехи физических наук». В 1985 году был председателем Всесоюзной школы молодых учёных «Квантовые частицы в интенсивных полях» (Кишинев, 1985)[5], идея которой принадлежит профессору и проректору МГУ И. М. Тернову. Похоронен в Москве на Донском кладбище[6]. Научные достиженияЛ. В. Келдышу принадлежат работы в области квантовой теории систем многих частиц, физики твердого тела, физики полупроводников, квантовой радиофизики. Во второй половине 1950-х годов построил систематическую теорию туннельных явлений в полупроводниках, в 1957 году впервые провел корректный расчёт вероятности туннельного перехода с учётом зонной структуры материала и предсказал так называемый непрямой туннельный эффект, протекающий с участием фононов, а в 1958 году предсказал эффект сдвига полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля (эффект Франца — Келдыша). Эти результаты оказались чрезвычайно важными для развития спектроскопии полупроводников. В 1962 году предложил использовать пространственно-периодические поля (сверхрешетки) для управления электронным спектром и электронными свойствами кристаллов; позже сверхрешётки стали основой многих оптоэлектронных устройств. В 1964 году показал, что многоквантовый фотоэффект и высокочастотный туннельный эффект являются различными предельными случаями одного и того же процесса: так называемый параметр Келдыша определяет границу между многофотонным и туннельным режимами. Построил общую теорию этих явлений, заложив основу нового направления — физики взаимодействия интенсивного лазерного излучения с веществом. В 1964 году для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем разработал специальную диаграммную технику. Этот подход, являющаяся обобщением фейнмановских диаграмм на неравновесные процессы и известный также как формализм Швингера — Келдыша, широко используется в различных разделах физики, в частности при описании взаимодействия конденсированных систем с лазерным излучением. В том же 1964 году совместно с Ю. В. Копаевым предложил известную модель фазового перехода металл-полупроводник, известную как «экситонный диэлектрик». В 1968 году вместе с другим своим учеником А. Н. Козловым предсказал бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонов, а также показал, что неравновесные экситоны в сильно возбуждённом полупроводнике должны формировать электронно-дырочные капли. В ряде работ Л. В. Келдыш исследовал явления, связанные с глубоко лежащими уровнями в полупроводниках, ударной ионизацией, «фононным ветром» и т.д. СемьяБратья матери — Мстислав Всеволодович Келдыш и Юрий Всеволодович Келдыш Единоутробный брат — Сергей Петрович Новиков, математик. Награды и членства
Основные публикации
См. такжеПримечания
Литература
Ссылки
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
