Исмайлов, Фикрет Исмаил оглы

В Википедии есть статьи о других людях с фамилией Исмайлов.
Фикрет Исмаил оглы Исмайлов
азерб. Fikrət İsmayıl oğlu İsmayılov
Дата рождения 3 января 1935(1935-01-03)
Место рождения г. Нахичевань, Нахичеванская АССР, Азербайджанская ССР, СССР
Дата смерти 31 марта 2015(2015-03-31) (80 лет)
Место смерти Баку, Азербайджан
Страна  СССР
 Азербайджан
Род деятельности физик
Научная сфера Физика
Место работы Институт физики НАН Азербайджана
Альма-матер Азербайджанский государственный педагогический университет
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии
Орден «Слава» (Азербайджан) — 2009

Фикрет Исмаил оглы Исмайлов (азерб. Fikrət İsmayıl oğlu İsmayılov; 3 января 1935, Нахичевань, Нахичеванская АССР, Азербайджанская ССР, СССР — 31 марта 2015, Баку, Азербайджан) — азербайджанский учёный, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник Института физики НАН Азербайджана.

Биография

Фикрет Исмайлов родился 3 января 1935 года в городе Нахичевань Нахичеванской АССР в семье учителя. Окончил школу № 1 имени Узеира Гаджибекова в родном городе. После окончания Азербайджанского педагогического института по специальности физика и математика по распределению был направлен в Институт физики Академии наук Азербайджанской ССР. С 1960 года работал лаборантом, старшим лаборантом, младшим научным сотрудником, старшим научным сотрудником в Институте физики. С 1973 года доктор физико-математических наук Ф. Исмайлов — руководитель лаборатории Института физики.

21 ноября 1992 года вступил в партию «Новый Азербайджан». Избирался депутатом первого созыва (1995—2000 гг.) Милли Меджлиса Азербайджана. С 1993 года является председателем Ясамальского районного отделения партии «Новый Азербайджан».

29 декабря 2009 года Фикрет Исмайлов распоряжением Президента Ильхама Алиева награждён орденом «Шохрат».

Научная деятельность

Одним из научных достижений учёного является определение молярных коэффициентов ширины запрещенной зоны в твердых растворах GaSXSe1-X. Им разработана технология выращивания слоистых монокристаллов AIIIBVI методом «медленного охлаждения при постоянном градиенте температур». Также в результате проведенных Ф. Исмайловым исследований было установлено, что извлечение теллуровых включений методом электрохимической обработке улучшает электрофизические параметры CdXHg1-XTe и характеристические параметры (Dλ* və Sλ*) фотоприемников.

Ф. Исмайлов — автор 140 опубликованных научных работ, 19 авторских свидетельств и патентов. Под его руководством защищено 5 кандидатских диссертаций.

Некоторые научные работы

  • Исмайлов Ф. И. Investigation of Electrical conductivity and Hall effect in GaSe single crystal // Phys. Stat. Solid. — 1996. — Т. 17. — С. 237.
  • Исмайлов Ф. И. Методика изготовления ампулы для выращивания кристаллов в условиях невесомости // ВОТ. — 1979. — Вып. 65.
  • Исмайлов Ф. И. Исследования диффузии примесей в слоистых полупроводниках типа AIIIBVI // Известия АН СССР, Неорганические материалы. — 1989. — Т. 25, № 9.
  • Исмайлов Ф. И. Second Harmonic generation in GaS crystal // Sol. State.Com-tons. — 1997. — Т. 104, № 1.
  • Исмайлов Ф. И. Дефектная проводимость в InSe // ФТП. — 1981. — Т. 18. — С. 8.

Источники