Институт сильноточной электроники СО РАН

Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН)
Основан	1977
Материнская организация	Отдел физических наук, Минобрнауки России[3] и ТНЦ СО РАН
Директор	Николай Александрович Ратахин, профессор[1]
Сотрудников	130[2]
Расположение	Россия, Томск
Юридический адрес	634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Сайт	new.hcei.tsc.ru

Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза[4], США[5], Японии[6], Украины и Швейцарии[7].

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы[8].

Разработки

В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру[9].

История

Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке[2].

Директора

Институт возглавляли[2]:

• 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
• 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
• 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
• с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.

Структура

• Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович[10]
• Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович[11])
• Отдел физической электроники
• Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)[12]
• Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)[13]
• Лаборатория вакуумной электроники
• Лаборатория газовых лазеров
• Лаборатория оптических излучений
• Лаборатория низкотемпературной плазмы
• Лаборатория прикладной электроники
• Лаборатория теоретической физики
• Лаборатория плазменных источников
• Конструкторско-технологический отдел
• Группа автоматизации научных исследований

Дирекция

• Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1][14]
• Зам. директора по научной работе:
  • Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
  • Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
• Научный руководитель
  • Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор

См. также

• Институт цитологии и генетики СО РАН

Примечания

1. Руководство ИСЭ СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 30 марта 2017 года.
2. http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Архивная копия от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
3. Единый Государственный Реестр Юридических Лиц, ЕГРЮЛ
4. Official Journal of the European Union L153  (неопр.). Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 3 июня 2022 года.
5. Минторг США включит в санкционный лист 120 военных предприятий из России и Беларуси. Полный список  (неопр.). Белсат. Дата обращения: 15 января 2023.
6. Япония запретила ввоз связанных с химоружием товаров в РФ  (рус.). ПРАВО. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
7. ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК  (рус.). Война и санкции. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
8. Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 2 марта 2014 года.
9. Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
10. Отдел импульсной техники  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
11. Отдел ВПЭ  (неопр.). Дата обращения: 24 октября 2018. Архивировано 24 октября 2018 года.
12. Лаборатория плазменной эмиссионной электроники  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
13. Лаборатория высокочастотной электроники  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
14. Дирекция ИСЭ СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 18 апреля 2009 года.

Ссылки

• Официальный сайт института Архивная копия от 27 мая 2010 на Wayback Machine