|
Иванов, Сергей Викторович (физик)
Серге́й Ви́кторович Ивано́в (род. 24 июня[1] 1960, Ленинград, СССР) — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге. Член-корреспондент РАН с 2022 года[2]. БиографияРодился в 1960 году. Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.). В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ[3]. Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации[3]. Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран[3]. С октября 2018 года исполнял обязанности директора ФТИ. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора[4][5]; 6 августа 2019 года официально вступил в должность. На следующих выборах в июне 2024 года[6] был переизбран с убедительным отрывом от других претендентов[7]. В июне 2022 года стал членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук[2]. Научная деятельностьИванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы АIIIВV, АIIВVI, АIII-нитриды). Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии[4]:
Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 9 патентов. Суммарно его работы были процитированы свыше 12000 раз, индекс Хирша — 39 (данные РИНЦ на начало 2024 года)[8]. Выступал на российских и международных конференциях, сделал более 40 приглашённых докладов. Премии и наградыИсследовательская деятельность учёного отмечена присуждением ряда премий в его институте, благодарностью президента РАН (1999), благодарностью губернатора Санкт-Петербурга (2020), медалью Минобрнауки РФ «За вклад в реализацию государственной политики в области технологического развития» (2021)[6]. Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алфёрова за цикл приоритетных исследований физико-химических аспектов процесса молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6, приведший к созданию эффективных квантоворазмерных наногетероструктур для элементной базы полупроводниковой оптоэлектроники и квантовой фотоники широкого спектрального диапазона[9]. В связи с 300-летием РАН в 2024 году был награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени[10]. Преподавание, оргработаКак учёный-наставник Иванов подготовил 7 кандидатов физико-математических наук[4]. По совместительству, с 2004 года преподавал в двух вузах Санкт-Петербурга: читал курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор[3]. С 2020 года заведует базовой кафедрой ФТИ в НИУ ВШЭ-СПб[6]. Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ. Главный редактор журнала «Физика и техника полупроводников» (с 2023 года)[11], член редколлегий журналов «Micro and Nanostructures» (до весны 2022 года журнал назывался «Superlattices and Microstructures»)[4] и «Physica Status Solidi»[12]. В 2023 году вошёл в состав президиума новосозданного Санкт-Петербургского отделения (СПбО) РАН[13], c начала 2024 года возглавляет объединённый научный совет СПбО по естественным наукам[14]. Примечания
Ссылки
|
||||||||||||||||||||||
