最先端半導体技術センター

技術研究組合最先端半導体技術センター
正式名称 技術研究組合最先端半導体技術センター
英語名称 Leading-edge Semiconductor Technology Center
略称 LSTC
組織形態 技術研究組合
所在地 日本の旗 日本
〒102-0083
東京都千代田区麹町3丁目3番地8
麹町センタープレイス
法人番号 4010005036051 ウィキデータを編集
理事長 東哲郎
設立年月日 2022年（令和4年）12月21日
所管 経済産業省
公式サイト http://www.lstc.jp
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技術研究組合最先端半導体技術センター（ぎじゅつけんきゅうくみあいさいせんたんはんどうたいぎじゅつセンター、英語: (CIP) Leading-edge Semiconductor Technology Center、LSTC）は、次世代半導体の研究開発を行う日本の技術研究組合である。

研究開発の目的

研究開発策定責任者委員会（2023年時点での名簿は別に記載）にて、国内外の産業界ニーズを元に次世代半導体の設計・製造に必要となる研究開発テーマを策定　→　各研究開発部門にて、国内外の企業・研究機関と連携しながら、次世代半導体に資する研究開発を実施。

以下は将来目標

  • 次世代半導体の設計・製造基盤を担うプロフェッショナル人材の育成を目指す（５年スパン『なぜならば、大学院課程が5年制』）
  • 次世代半導体の需要となる新産業の創出を目指す（既に、動いている分野はAI分野、将来は組み込み『IoT』AI分野　→　防犯、自動運転『自動車、ドローン、人工衛星など』、SDGs型建築物など）

研究開発策定責任者委員会

2023年時点名簿

  • 委員長　東　　哲郎（所属機関：Rapidus)
  • 委員　　石丸　一成（所属機関： Rapidus）
  • 委員　　昌原　明植（所属機関：産業技術総合研究所）
  • 委員　　黒田　忠宏（所属機関：東京大学）
  • 委員　　平本　俊郎（所属機関：東京大学）
  • 委員　　須川　成利（所属機関：東北大学）
  • 委員　　地京　豊裕（所属機関：物質・材料研究機構）
  • 委員　　菅沼　克昭（所属機関：大阪大学）
  • 委員　　小池　淳義（所属機関：Rapidus)

沿革

2020年代

2022年

参加機関

2023年7月時点での参加機関は以下の通り[3][4]。

組合員
準組合員

脚注

  1. ^ a b “次世代半導体の設計・製造基盤確立に向けて” (PDF). 経済産業省. 2023年6月16日閲覧。
  2. ^ “半導体研究拠点の設立認可 次世代製品を量産化―経産省”. 時事ドットコム. (2022年12月19日). https://www.jiji.com/jc/article?k=2022121900994&g=eco 2023年6月16日閲覧。 
  3. ^ “ラピダスの次世代半導体事業、国挙げた支援進む 北海道に新工場”. 毎日新聞. (2023年6月15日). https://mainichi.jp/articles/20230613/k00/00m/020/135000c 2023年6月16日閲覧。 
  4. ^ “概要”. 技術研究組合 最先端半導体技術センター. 2023年7月3日閲覧。

関連項目

外部リンク

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