サイモン・ミン・ジィー （Simon Min Sze、施敏、1936年 - 2023年 11月6日 ）は、中国系アメリカ人の電気工学 者。国立陽明交通大学 終身教授、国立台湾科技大学 名誉教授。1967年にダウォン・カーン とともに浮遊ゲートMOSFET を発明したことで最も有名。
中国の南京市 で生まれ台湾 で育った。1957年に国立台湾大学 を卒業し、1960年にワシントン大学 で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学 で博士号を取得した。1990年までベル研究所 で働き、その後台湾に戻り国立交通大学 の教員となった。
2023年11月6日に死去。87歳没[ 1]
現在不揮発性半導体メモリデバイス に広く使用されている浮遊ゲートMOSFET を1967年に発見したこと（ダウォン・カーン とともに）を含む半導体 物理学 及びテクノロジー における研究で知られる[ 2] Physics of Semiconductor Devices )を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Award を受賞した[ 3]
Physics of Semiconductor Devices , S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7 ; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8 ; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5 .Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3 . Semiconductor Devices: Physics and Technology , S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7 ; 3rd ed., 2012, ISBN 978-0470-53794-7 .
ジィー, S.M. 著、南日康夫・川辺光央・長谷川文夫 訳『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』（第1版）産業図書、1987年5月。ISBN 9784782855508 。 ジィー, S.M. 著、南日康夫・川辺光央・長谷川文夫 訳『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』（第2版）産業図書、2004年3月。ISBN 9784782855508 。 VLSI Technology , ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3 ; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5 .Modern Semiconductor Device Physics , ed. S. M. Sze. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, ISBN 0-471-15237-4 .
^ “「半導體宗師」施敏辭世 陽明交大悼：科研成就深遠影響人類生活 ”. 中時電子網 (2023年11月8日). 2023年11月8日 閲覧。 ^ D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal , 46 , #4 (1967), pp. 1288–1295.
^ Electron Devices Society J.J. Ebers Award , web page at the IEEE, accessed 11-I-2007. ^ Dr. Simon Min Sze wins the Future Science Prize
