Jan Schmidt (Physiker)

Jan Schmidt 2018
Jan Schmidt auf der GADEST-Konferenz, Mondsee, Österreich, Sept. 2022

Jan Schmidt (* 29. Juni 1967 in Kiel) ist ein deutscher Physiker und Solarenergieforscher.

Nach seiner Promotion in Physik im Jahr 1998 an der Universität Hannover forschte er von 1998 bis 2000 als Stipendiat der Alexander-von-Humboldt-Stiftung an der Australian National University in Canberra, Australien, und von 2000 bis 2001 an der Universität Stuttgart. Seit 2001 forscht er auf den Gebieten Photovoltaik und Halbleiterphysik am Institut für Solarenergieforschung Hameln (ISFH).[1] 2005 habilitierte er sich an der Universität Hannover mit dem Thema Performance-Limiting Defects in Silicon Solar Cells. Im Jahr 2010 wurde er an der Leibniz Universität Hannover zum apl. Professor und im Jahr 2016 zum Universitätsprofessor für Photovoltaik-Materialforschung[2] ernannt. Sein h-Index liegt mit Stand Januar 2024 bei 73.[3]

Schmidt ist bekannt für seine Beiträge zur Aufklärung und Vermeidung lichtinduzierter Degradationsphänomene in Solarzellen.[4][5] So konnte er erstmals nachweisen, dass der Dotierstoff im Silizium-Basismaterial der Solarzelle einen entscheidenden Einfluss auf die Degradationseigenschaften hat und der Dotierstoff Bor möglichst vermieden werden sollte, wohingegen Gallium oder Phosphor keine Degradation zur Folge haben.[6] Diese Arbeiten hatten wesentlichen Einfluss in Bezug auf die Auswahl des Silizium-Ausgangsmaterials in hocheffizienten Solarzellen. Jan Schmidt hat auch zur Oberflächenpassivierung von Siliziumsolarzellen beigetragen[7] und das heute in industriell gefertigten Solarzellen eingesetzte Al2O3/SiNx-Passivierschichtsystem entwickelt.[8][9]

Einzelnachweise

  1. ↑ Homepage „Institut für Solarenergieforschung Hameln“ (ISFH)
  2. ↑ AG Schmidt, Institut für Festkörperphysik, Leibniz Universität Hannover
  3. ↑ Jan Schmidt. Profil bei Google Scholar.
  4. ↑ J. Schmidt, A. G. Aberle, R. Hezel: Investigation of carrier lifetime instabilities in Cz-grown silicon. In: Conference Record of the Twenty Sixth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1997. IEEE, Anaheim, CA, USA 1997, ISBN 978-0-7803-3767-1, S. 13–18, doi:10.1109/PVSC.1997.653914 (ieee.org [abgerufen am 15. März 2022]).
  5. ↑ J. Schmidt, D. Bredemeier, D. C. Walter: On the Defect Physics Behind Light and Elevated Temperature-Induced Degradation (LeTID) of Multicrystalline Silicon Solar Cells. In: IEEE Journal of Photovoltaics. Band 9, Nr. 6, November 2019, ISSN 2156-3381, S. 1497–1503, doi:10.1109/JPHOTOV.2019.2937223 (ieee.org [abgerufen am 15. März 2022]).
  6. ↑ Jan Schmidt: Light-Induced Degradation in Crystalline Silicon Solar Cells. In: Solid State Phenomena. Band 95-96, 2004, ISSN 1662-9779, S. 187–196, doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.187 (scientific.net [abgerufen am 15. März 2022]).
  7. ↑ J. Schmidt, R. Peibst, R. Brendel: Surface passivation of crystalline silicon solar cells: Present and future. In: Solar Energy Materials and Solar Cells. Band 187, 1. Dezember 2018, ISSN 0927-0248, S. 39–54, doi:10.1016/j.solmat.2018.06.047 (sciencedirect.com [abgerufen am 15. März 2022]).
  8. ↑ Patent EP2220689B1: Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberflächenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und entsprechende Solarzelle. Angemeldet am 6. November 2008, veröffentlicht am 27. August 2014, Anmelder: Institut für Solarenergieforschung GmbH, Technische Universiteit Eidhoven, Erfinder: Jan Schmidt, Bram Hoex.‌
  9. ↑ J. Schmidt, B. Veith, R. Brendel: Effective surface passivation of crystalline silicon using ultrathin Al2O3 films and Al2O3/SiNx stacks. In: physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 17. September 2009, S. 287–289, doi:10.1002/pssr.200903272 (wiley.com [abgerufen am 15. März 2022]).
Personendaten
NAME Schmidt, Jan
KURZBESCHREIBUNG deutscher Physiker und Solarenergieforscher
GEBURTSDATUM 29. Juni 1967
GEBURTSORT Kiel