Indiumphosphid

Kristallstruktur
Struktur von Indiumphosphid
_ In3+ 0 _ P3−
Allgemeines
Name Indiumphosphid
Andere Namen

Indium(III)-phosphid

Verhältnisformel InP
Kurzbeschreibung

dunkelgrauer Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 22398-80-7
EG-Nummer 244-959-5
ECHA-InfoCard 100.040.856
PubChem 31170
Wikidata Q416291
Eigenschaften
Molare Masse 145,79 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

4,79 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

1070 °C[2]

Löslichkeit

praktisch unlöslich in Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[3] ggf. erweitert[1]
Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 350​‐​361f​‐​372
P: 201​‐​202​‐​260​‐​264​‐​280​‐​308+313[1]
MAK

aufgehoben, da cancerogen[1]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber[4] und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.

Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Vorkommen

Indiumphosphid ist eine künstlich hergestellte Verbindung. Von den beiden Bestandteilen ist Indium, im Gegensatz zum Phosphor, ein seltenes Element.

Gewinnung und Darstellung

InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

Eigenschaften

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 K (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 eV.[5]

Sicherheitshinweise

Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.[1]

Einzelnachweise

  1. ↑ a b c d e f Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 8. Januar 2020. (JavaScript erforderlich)
  2. ↑ a b Datenblatt Indiumphosphid bei Alfa Aesar, abgerufen am 6. Februar 2010 (Seite nicht mehr abrufbar).
  3. ↑ Eintrag zu Indium phosphide im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 1. Februar 2016. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
  4. ↑ Sandwich-Chips: Das Beste aus zwei Technologien (PDF; 149 kB). Pressemitteilung des Ferdinand-Braun-Instituts, 18. Dezember 2012.
  5. ↑ Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)