Schmitt-Landsiedel schloss ihr Studium der Elektrotechnik 1977 als Diplom-Ingenieurin an der Universität Karlsruhe und ihr Studium der Physik 1980 als Diplom-Physikerin an der Universität Freiburg ab.[2] Im Jahre 1984 promovierte sie an der Technischen Universität München mit dem Thema Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide und heisse Elektronen. Von 1981 bis 1996 war sie Mitarbeiterin und Leiterin eines Forschungssektors in der Zentralen Forschung und Entwicklung der Siemens AG. Von 1996 bis 2016 war sie Inhaberin des Lehrstuhls für Technische Elektronik an der Technischen Universität München.
Doris Schmitt-Landsiedel war zuletzt Mutter zweier erwachsener Kinder.[3]
Wissenschaftliches Werk
Schmitt-Landsiedels Forschungsthemen lagen im Bereich des Zusammenspiels von elektronischen Bauelementen und integrierten Schaltungen, wie z. B. Schaltungen mit niedriger Verlustleistung bei zugleich hoher Ausbeute und Zuverlässigkeit, trotz zunehmender Schwankungen und Degradationseffekte in neuen CMOS-Technologien.[4]
Sie veröffentlichte mehr als 300 wissenschaftliche Arbeiten.[5] Zudem war sie Erfinderin oder Miterfinderin von mehr als 50 Patenten und Patentanmeldungen.[6] Sie war Koeditorin der Fachbuch-Reihe Springer Series in Advanced Microelectronics.[7]
mit M. Becherer, G. Csaba, R. Emling, W. Porod und P. Lugli: Field-coupled Nanomagnets for Interconnect-Free Nonvolatile Computing. In: Digest Internat. Solid-State Circuits Conf. ISSCC (solicited). 2009, S. 474–475.
mit B. Wicht und S. Paul: Analysis and Compensation of the Bitline Multiplexer in SRAM Current Sense Amplifiers. In: IEEE J. Solid-State Circuits. 36(11), 2001, S. 1745–1755.
mit M. Eisele, J. Berthold u. a.: Impact of Intra-Die Device Parameter Variations on Path Delays and Design for Yield of Low Voltage Digital Circuits. In: IEEE Trans. Very Large Scale Integration Systems. 5 (4), 1997, S. 360–368.
mit W. Maly, J. Khare und S. Griep: Yield oriented computer-aided defect diagnosis. IEEE Trans. Semiconductor Manufacturing, 1995, S. 195–206.
mit G. Dorda: Novel hot-electron effects in the channel of MOSFETs observed by capacitance measurements. In: IEEE Trans. Electron Devices. 32, 1985, S. 1294–1301.
